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RS1E200BNTB  与  BSZ050N03MS G  区别

型号 RS1E200BNTB BSZ050N03MS G
唯样编号 A-RS1E200BNTB A-BSZ050N03MS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@20A,10V 4.5mΩ
上升时间 - 4.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),25W(Tc) 2.1W
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 26ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 20A(Ta) 15A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS3M
长度 - 3.3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 3.2ns
典型接通延迟时间 - 6.7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
BSZ050N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ050N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI N-Channel 30V 21A

暂无价格 0 对比
BSC052N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LSATMA1_30V 57A 5.2mΩ 10V 28W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSZ050N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ050N03MSGATMA1_30V 15A 4.5mΩ 20V 2.1W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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